BSC070N10NS5-HXY

BSC070N10NS5 是一款N沟道MOSFET， 采用小型DFN5X6-8L封装， 适合空间有限的应用环境。 器件特点明显， 具有100V的最大漏源电压(VDSS)， 能承载高达75A的连续漏极电流(ID)， 并且拥有出色的导通性能， 导通电阻仅为7.3mR(RD(on))， 确保在高电流传输中仍保持较低的功率损耗。 适用于电源转换、电池管理系统、马达驱动等高功率、高效率的电路设计中。