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BSC070N10NS3G
自营可供
IC

TDSON-8(5x6)

BSC070N10NS3G

场效应管(MOSFET) 114W 100V 90A 1个N沟道

品牌

Infineon

封装

TDSON-8(5x6)

交期

现货

批次

26+

BSC070N10NS3G参数

封装TDSON-8(5x6)
品牌Infineon(英飞凌)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))7mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))3.5V
输入电容(Ciss)3nF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)520pF
分类场效应管(MOSFET)
库存6,466
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)100V
耗散功率(Pd)114W
栅极电荷量(Qg)42nC@10V
反向传输电容(Crss)21pF
类型N沟道

BSC070N10NS3G概述

场效应管(MOSFET) 114W 100V 90A 1个N沟道

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