BSC070N10NS3G-HXY

此款消费级N沟道MOSFET采用小型化DFN5X6-8L封装， 具有优越的散热性能。 其规格为100V漏源电压和75A连续电流， 特别适合于空间紧凑、高效率要求的电源转换、负载开关及电池管理系统等应用场景， 提供卓越的功率处理能力与可靠性。