BSC070N10NS3G
IC
TDSON-8(5x6)
可供量大可议
BSC070N10NS3G
场效应管(MOSFET) 114W 100V 90A 1个N沟道
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
库存
17,801
货期
现货
BSC070N10NS3G参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 输入电容(Ciss) | 3nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 520pF |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17,801 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 114W |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF |
| 类型 | N沟道 |
BSC070N10NS3G概述
场效应管(MOSFET) 114W 100V 90A 1个N沟道
BSC070N10NS3G特性
暂无产品特性。
BSC070N10NS3G应用领域
暂无应用领域。