BSC070N10LS5ATMA1-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点， 适用于多种电源管理及功率控制场景。 其最大漏极电流ID为80A， 漏源击穿电压VDSS为100V， 支持较高功率的开关与导通需求； 导通状态下的电阻RDON仅为6.4mΩ， 显著降低导通损耗， 提高整体效率。 器件结构设计优化， 具备良好的热稳定性和快速开关响应能力， 适合应用于高密度电源转换系统及高效能电子设备中。