BSC0704LSATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC0704LSATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至8毫欧。 其低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统以及各类需要大电流处理能力的电子装置， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与可靠运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
9
货期
现货
BSC0704LSATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9 |
BSC0704LSATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压（VGS）为20V时， 导通电阻（RDS(ON)）低至8毫欧。 其低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗， 提升整体能效。 适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统以及各类需要大电流处理能力的电子装置， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与可靠运行。
BSC0704LSATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSC0704LSATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。