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BSC067N06LS3G-VB
IC

DFN5x6-8

可供量大可议

BSC067N06LS3G-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于电源管理、电池管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的各种模块和应用场景。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 60V; 80A; RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2.5~4V

品牌

VBsemi

封装

DFN5x6-8

库存

20

货期

现货

BSC067N06LS3G-VB参数

封装DFN5x6-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存20

BSC067N06LS3G-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单N型MOSFET, 采用Trench工艺制造, 适用于电源管理、电池管理、汽车电子、工业控制和LED照明等领域的各种模块和应用场景。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 60V; 80A; RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=2.5~4V

BSC067N06LS3G-VB特性

暂无产品特性。

BSC067N06LS3G-VB应用领域

暂无应用领域。

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