BSC060P03NS3E G
IC
QFN-8
可供量大可议
BSC060P03NS3E G
P—Channel沟道, -򬓹 򏟋 V, -󗙻 򘞟 򏟋 A, RDS(ON), 󺺆 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； -󗙻 񄂹 𛾾 󺺆 Vth(V) 封装：QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )
品牌
VBsemi
封装
QFN-8
库存
89
货期
现货
BSC060P03NS3E G参数
| 封装 | QFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 89 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
BSC060P03NS3E G概述
P—Channel沟道, -򬓹 򏟋 V, -󗙻 򘞟 򏟋 A, RDS(ON), 󺺆 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𮧂 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； -󗙻 񄂹 𛾾 󺺆 Vth(V) 封装：QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )
BSC060P03NS3E G特性
暂无产品特性。
BSC060P03NS3E G应用领域
暂无应用领域。