BSC060N10NS3 G-VB
自营可供
IC
DFN5x6-8
BSC060N10NS3 G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET， 适合于要求高效能和小型封装的应用， 特别适合现代电子设备和电力管理系统。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 95A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~5V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
交期
现货
批次
—
BSC060N10NS3 G-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@50V |
| 反向传输电容(Crss) | 11.2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:100V 电流:30A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 6.5nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 132pF |
| 商品型号 | BSC060N10NS3 G-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00012 |
BSC060N10NS3 G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款采用Trench技术的单极N通道MOSFET， 适合于要求高效能和小型封装的应用， 特别适合现代电子设备和电力管理系统。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 100V； 95A； RDS(ON)=6mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2~5V
BSC060N10NS3 G-VB特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 175°C结温
- 低热阻封装
- 100%进行Rg测试
- 符合RoHS标准
BSC060N10NS3 G-VB应用领域
- 隔离式DC/DC转换器