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BSC059N04LSG-VB
IC

DFN-8(5x6)

可供量大可议

BSC059N04LSG-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N沟道场效应管, 采用Trench工艺制造, 适用于需要高功率和电流的应用场合。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 40V; 70A; RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

品牌

VBsemi

封装

DFN-8(5x6)

库存

23

货期

现货

BSC059N04LSG-VB参数

封装DFN-8(5x6)
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存23

BSC059N04LSG-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单极性N沟道场效应管, 采用Trench工艺制造, 适用于需要高功率和电流的应用场合。 DFN8(5X6); N—Channel沟道, 40V; 70A; RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1.2~2.5V

BSC059N04LSG-VB特性

暂无产品特性。

BSC059N04LSG-VB应用领域

暂无应用领域。

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