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BSC059N04LS6
IC

TDSON-8-EP

可供量大可议

BSC059N04LS6

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品牌

infineon

封装

TDSON-8-EP

库存

4,299

货期

现货

BSC059N04LS6参数

封装TDSON-8-EP
品牌infineon
批次2625+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))5.9mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.3V
输入电容(Ciss)830pF
工作温度-55℃~+175℃
分类场效应管(MOSFET)
库存4299
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)40V
耗散功率(Pd)38W
栅极电荷量(Qg)9.4nC@10V
反向传输电容(Crss)21pF

BSC059N04LS6概述

场效应管(MOSFET) BSC059N04LS6

BSC059N04LS6特性

暂无产品特性。

BSC059N04LS6应用领域

暂无应用领域。

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