BSC057N03MSGATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC057N03MSGATMA1-HXY
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ， 栅源电压（VGS）最高支持20V。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下显著减少功率损耗， 提升系统效率。 适用于高效率电源管理、电机控制、电池供电设备及各类需要频繁开关操作的电子系统， 能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
57
货期
现货
BSC057N03MSGATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 57 |
BSC057N03MSGATMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ， 栅源电压（VGS）最高支持20V。 其低导通电阻有助于在大电流工作条件下显著减少功率损耗， 提升系统效率。 适用于高效率电源管理、电机控制、电池供电设备及各类需要频繁开关操作的电子系统， 能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性。
BSC057N03MSGATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSC057N03MSGATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。