BSC057N03LS G-VB

台积电流片， 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 󗙻 򘞟 򏟋 A, RDS(ON), 򬓹 mΩ@󗙻 򏟋 V, 𢺫 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V)； 󗙻 񄂹 𛾾 񤗸 Vth(V) 一款单N沟道场效应管， 适用于中功率应用场景。 具有较高的漏极电压和漏极电流能力， 以及低阈值电压和低开启电阻的特性。 采用Trench技术制造， 具有优良的性能稳定性和可靠性。 封装采用DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )， 适用于小型电路设计， 有利于节省空间。