BSC050NE2LS-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
BSC050NE2LS-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 具有较高的漏极电压和漏极电流能力， 以及低阈值电压和低开启电阻的特性。 采用Trench技术制造， 具有优良的性能稳定性和可靠性。 适用于小型电路设计， 有利于节省空间。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 120A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
20
货期
现货
BSC050NE2LS-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSC050NE2LS-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道场效应管， 具有较高的漏极电压和漏极电流能力， 以及低阈值电压和低开启电阻的特性。 采用Trench技术制造， 具有优良的性能稳定性和可靠性。 适用于小型电路设计， 有利于节省空间。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 30V； 120A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~2.5V
BSC050NE2LS-VB特性
暂无产品特性。
BSC050NE2LS-VB应用领域
暂无应用领域。