BSC050N10NS5-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC050N10NS5-HXY
该N沟道场效应管具有85V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4.3mΩ。 低RDON有助于减小导通损耗, 提升系统能效并降低温升。 适用于高功率密度的电源转换应用, 如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。 其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作, 适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
18
货期
现货
BSC050N10NS5-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18 |
BSC050N10NS5-HXY概述
该N沟道场效应管具有85V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4.3mΩ。 低RDON有助于减小导通损耗, 提升系统能效并降低温升。 适用于高功率密度的电源转换应用, 如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。 其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作, 适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。
BSC050N10NS5-HXY特性
暂无产品特性。
BSC050N10NS5-HXY应用领域
暂无应用领域。
