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BSC050N10NS5-HXY
IC

DFN-8L(5x6)

可供量大可议

BSC050N10NS5-HXY

该N沟道场效应管具有85V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4.3mΩ。 低RDON有助于减小导通损耗, 提升系统能效并降低温升。 适用于高功率密度的电源转换应用, 如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。 其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作, 适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN-8L(5x6)

库存

18

货期

现货

BSC050N10NS5-HXY参数

封装DFN-8L(5x6)
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存18

BSC050N10NS5-HXY概述

该N沟道场效应管具有85V漏源电压(VDSS)和100A连续漏极电流(ID)能力, 导通电阻低至4.3mΩ。 低RDON有助于减小导通损耗, 提升系统能效并降低温升。 适用于高功率密度的电源转换应用, 如大电流开关电源、高效直流-直流变换器、电池供电设备的功率控制以及电机驱动电路。 其电气性能支持稳定可靠的高电流开关操作, 适合对热管理和电能利用率有较高要求的电子系统。

BSC050N10NS5-HXY特性

暂无产品特性。

BSC050N10NS5-HXY应用领域

暂无应用领域。

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