BSC050N03MSGATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC050N03MSGATMA1-HXY
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在导通状态下呈现低至4.3mΩ的导通电阻（RDS(ON)）， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 器件结构优化了导通与开关性能， 在高电流应用中可有效降低功耗与温升。 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景， 其低阻特性有助于提升系统整体能效与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
96
货期
现货
BSC050N03MSGATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 96 |
BSC050N03MSGATMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在导通状态下呈现低至4.3mΩ的导通电阻（RDS(ON)）， 栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。 器件结构优化了导通与开关性能， 在高电流应用中可有效降低功耗与温升。 适用于对效率和热管理要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关电路等场景， 其低阻特性有助于提升系统整体能效与稳定性。
BSC050N03MSGATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSC050N03MSGATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。