BSC0500NSIATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
BSC0500NSIATMA1
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
17
货期
现货
BSC0500NSIATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 17 |
BSC0500NSIATMA1概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSC0500NSIATMA1特性
暂无产品特性。
BSC0500NSIATMA1应用领域
暂无应用领域。