BSC040N10NS5ATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC040N10NS5ATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗， 提升整体能效。 适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、不间断电源及各类高效电力转换系统。 器件在高频开关应用中表现出良好的动态性能和热稳定性， 适合对效率与空间布局有较高要求的电子设备。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
856
货期
现货
BSC040N10NS5ATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 856 |
BSC040N10NS5ATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗， 提升整体能效。 适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、不间断电源及各类高效电力转换系统。 器件在高频开关应用中表现出良好的动态性能和热稳定性， 适合对效率与空间布局有较高要求的电子设备。
BSC040N10NS5ATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSC040N10NS5ATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。