BSC036NE7NS3 G
IC
TDSON-8
可供量大可议
BSC036NE7NS3 G
特性：优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 卓越的热阻。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀， 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 符合 IEC61249-2-21 的无卤要求
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
337
货期
现货
BSC036NE7NS3 G参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 337 |
BSC036NE7NS3 G概述
特性：优化的同步整流技术。 适用于高频开关和 DC/DC 转换器。 出色的栅极电荷 × RDS(on) 乘积（FOM）。 卓越的热阻。 N 沟道， 正常电平。 100% 雪崩测试。 无铅电镀， 符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 符合 IEC61249-2-21 的无卤要求
BSC036NE7NS3 G特性
暂无产品特性。
BSC036NE7NS3 G应用领域
暂无应用领域。