BSC032N04LSATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC032N04LSATMA1-HXY
该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、大电流开关以及电池管理系统等应用场景， 能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
95
货期
现货
BSC032N04LSATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 95 |
BSC032N04LSATMA1-HXY概述
该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。 其极低的导通电阻有助于显著降低导通损耗， 在高电流工作条件下维持较低温升。 适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、大电流开关以及电池管理系统等应用场景， 能够支持频繁开关操作并保持稳定可靠的电气特性。
BSC032N04LSATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSC032N04LSATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。