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BSC030P03NS3G-HXY
IC

DFN5x6-8L

可供量大可议

BSC030P03NS3G-HXY

这款场效应管为P型, 电流高达110A, 可承载较大功率。 电压30V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值仅3mR, 能量损耗小。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定高功率电子设备的电流控制。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN5x6-8L

库存

150

货期

现货

BSC030P03NS3G-HXY参数

封装DFN5x6-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存150

BSC030P03NS3G-HXY概述

这款场效应管为P型, 电流高达110A, 可承载较大功率。 电压30V, 能在多种常见电路中稳定运行。 内阻典型值仅3mR, 能量损耗小。 VGS为20V。 在消费电子领域, 可用于特定高功率电子设备的电流控制。

BSC030P03NS3G-HXY特性

暂无产品特性。

BSC030P03NS3G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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