BSC030N04NSGATMA1-HXY
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC030N04NSGATMA1-HXY
该N沟道MOSFET具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。 低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高电流、高频率工作的电源转换电路， 如开关电源、同步整流模块及电机控制等场合， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气性能。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(5x6)
库存
49
货期
现货
BSC030N04NSGATMA1-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 49 |
BSC030N04NSGATMA1-HXY概述
该N沟道MOSFET具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源电压（VDSS）， 导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。 低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗， 提升系统效率。 器件适用于高电流、高频率工作的电源转换电路， 如开关电源、同步整流模块及电机控制等场合， 能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气性能。
BSC030N04NSGATMA1-HXY特性
暂无产品特性。
BSC030N04NSGATMA1-HXY应用领域
暂无应用领域。