BSC028N06LS3 G-VB
IC
DFN5x6-8
可供量大可议
BSC028N06LS3 G-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于中功率电子设备的功率开关和控制模块。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 60V； 100A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
品牌
VBsemi
封装
DFN5x6-8
库存
20
货期
现货
BSC028N06LS3 G-VB参数
| 封装 | DFN5x6-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 20 |
BSC028N06LS3 G-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路N沟道MOSFET， 采用Trench技术， 适用于中功率电子设备的功率开关和控制模块。 DFN8(5X6)； N—Channel沟道, 60V； 100A； RDS(ON)=3mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1~3V
BSC028N06LS3 G-VB特性
暂无产品特性。
BSC028N06LS3 G-VB应用领域
暂无应用领域。