DFN-8
BSC027N06LS5ATMA1-VB
台积电流片， 长电封测。 𮧂 򏟋 V； 󗙻 򑵼 򏟋 A； RDS(ON)=򏟋 񄂹 򏟋 򏟋 򘞟 Ω@VGS=󗙻 򏟋 V； RDS(ON)=򏟋 񄂹 򏟋 򏟋 򬓹 Ω@VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V； VGS=±򘞟 򏟋 V； Vth=򬓹 V； VBsemi的VBGQA󗙻 𮧂 򏟋 򘞟 是一款单极性N型沟道场效应（Single N）， 采用SGT工艺制造， 封装为DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8
库存
10
货期
现货
BSC027N06LS5ATMA1-VB参数
| 封装 | DFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 24+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
BSC027N06LS5ATMA1-VB概述
台积电流片， 长电封测。 𮧂 򏟋 V； 󗙻 򑵼 򏟋 A； RDS(ON)=򏟋 񄂹 򏟋 򏟋 򘞟 Ω@VGS=󗙻 򏟋 V； RDS(ON)=򏟋 񄂹 򏟋 򏟋 򬓹 Ω@VGS=󺺆 񄂹 𢺫 V； VGS=±򘞟 򏟋 V； Vth=򬓹 V； VBsemi的VBGQA󗙻 𮧂 򏟋 򘞟 是一款单极性N型沟道场效应（Single N）， 采用SGT工艺制造， 封装为DFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )。
BSC027N06LS5ATMA1-VB特性
暂无产品特性。
BSC027N06LS5ATMA1-VB应用领域
暂无应用领域。