BSC027N06LS5ATMA1-MS
IC
DFN-8L(5x6)
可供量大可议
BSC027N06LS5ATMA1-MS
此款BSC027N06LS5ATMA1-MS是一款N沟道场效应管(MOSFET)具备高性能与高稳定性的特点, 适用于多种功率电子系统。 其主要参数包括:最大漏极电流ID为125A, 漏源击穿电压VDSS为60V, 导通电阻RDON低至2.4mΩ, 有助于降低导通损耗并提升系统效率。 器件采用优化设计, 具备快速开关响应和良好热稳定性, 适合应用于电源转换器、储能系统、电机控制电路以及各类精密电子设备中的功率管理环节。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(5x6)
库存
239
货期
现货
BSC027N06LS5ATMA1-MS参数
| 封装 | DFN-8L(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 239 |
BSC027N06LS5ATMA1-MS概述
此款BSC027N06LS5ATMA1-MS是一款N沟道场效应管(MOSFET)具备高性能与高稳定性的特点, 适用于多种功率电子系统。 其主要参数包括:最大漏极电流ID为125A, 漏源击穿电压VDSS为60V, 导通电阻RDON低至2.4mΩ, 有助于降低导通损耗并提升系统效率。 器件采用优化设计, 具备快速开关响应和良好热稳定性, 适合应用于电源转换器、储能系统、电机控制电路以及各类精密电子设备中的功率管理环节。
BSC027N06LS5ATMA1-MS特性
暂无产品特性。
BSC027N06LS5ATMA1-MS应用领域
暂无应用领域。
