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BSC025N03MS G-HXY
IC

DFN5x6-8L

可供量大可议

BSC025N03MS G-HXY

这款高性能N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 专为大电流应用设计。 额定电压30V, 峰值连续电流高达150A, 特别适用于电源转换、电池管理系统和高功率开关场景, 提供卓越的导通性能与高效散热, 是紧凑型电子设备实现超强功率控制的理想之选。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN5x6-8L

库存

9

货期

现货

BSC025N03MS G-HXY参数

封装DFN5x6-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存9

BSC025N03MS G-HXY概述

这款高性能N沟道消费级MOSFET采用DFN5X6-8L封装, 专为大电流应用设计。 额定电压30V, 峰值连续电流高达150A, 特别适用于电源转换、电池管理系统和高功率开关场景, 提供卓越的导通性能与高效散热, 是紧凑型电子设备实现超强功率控制的理想之选。

BSC025N03MS G-HXY特性

暂无产品特性。

BSC025N03MS G-HXY应用领域

暂无应用领域。

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