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BSC020N03MSG-HXY
IC

DFN5x6-8L

可供量大可议

BSC020N03MSG-HXY

BSC020N03MSG 是一款高性能N沟道MOS管, 采用小型化DFN5X6-8L封装, 适合高密度电路板布局。 器件可在30V的最大漏源电压下工作, 提供高达150A的连续漏极电流, 满足严苛的大电流应用需求。 其导通电阻低至2mΩ, 确保在高负载下仍保持低功耗和高效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动等领域, 是提升系统性能和优化能源利用的理想半导体器件。

品牌

HXY MOSFET

封装

DFN5x6-8L

库存

12

货期

现货

BSC020N03MSG-HXY参数

封装DFN5x6-8L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存12

BSC020N03MSG-HXY概述

BSC020N03MSG 是一款高性能N沟道MOS管, 采用小型化DFN5X6-8L封装, 适合高密度电路板布局。 器件可在30V的最大漏源电压下工作, 提供高达150A的连续漏极电流, 满足严苛的大电流应用需求。 其导通电阻低至2mΩ, 确保在高负载下仍保持低功耗和高效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动等领域, 是提升系统性能和优化能源利用的理想半导体器件。

BSC020N03MSG-HXY特性

暂无产品特性。

BSC020N03MSG-HXY应用领域

暂无应用领域。

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