BSC020N03MSG-HXY
IC
DFN5x6-8L
可供量大可议
BSC020N03MSG-HXY
BSC020N03MSG 是一款高性能N沟道MOS管, 采用小型化DFN5X6-8L封装, 适合高密度电路板布局。 器件可在30V的最大漏源电压下工作, 提供高达150A的连续漏极电流, 满足严苛的大电流应用需求。 其导通电阻低至2mΩ, 确保在高负载下仍保持低功耗和高效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动等领域, 是提升系统性能和优化能源利用的理想半导体器件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN5x6-8L
库存
12
货期
现货
BSC020N03MSG-HXY参数
| 封装 | DFN5x6-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 12 |
BSC020N03MSG-HXY概述
BSC020N03MSG 是一款高性能N沟道MOS管, 采用小型化DFN5X6-8L封装, 适合高密度电路板布局。 器件可在30V的最大漏源电压下工作, 提供高达150A的连续漏极电流, 满足严苛的大电流应用需求。 其导通电阻低至2mΩ, 确保在高负载下仍保持低功耗和高效率。 广泛应用于电源转换、电机驱动等领域, 是提升系统性能和优化能源利用的理想半导体器件。
BSC020N03MSG-HXY特性
暂无产品特性。
BSC020N03MSG-HXY应用领域
暂无应用领域。
