BSC015NE2LS5I
IC
TDSON-8(5x6)
可供量大可议
BSC015NE2LS5I
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
库存
239
货期
现货
BSC015NE2LS5I参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 239 |
BSC015NE2LS5I概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 为无卤产品
BSC015NE2LS5I特性
暂无产品特性。
BSC015NE2LS5I应用领域
暂无应用领域。