BSC014NE2LSIATMA1
IC
TDSON-8
可供量大可议
BSC014NE2LSIATMA1
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
品牌
Infineon
封装
TDSON-8
库存
501
货期
现货
BSC014NE2LSIATMA1参数
| 封装 | TDSON-8 |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 501 |
BSC014NE2LSIATMA1概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层， 符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
BSC014NE2LSIATMA1特性
暂无产品特性。
BSC014NE2LSIATMA1应用领域
暂无应用领域。