BSC014N04LSIATMA1
IC
TDSON-8FL
可供量大可议
BSC014N04LSIATMA1
New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g ) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer
品牌
Infineon
封装
TDSON-8FL
库存
13,247
货期
现货
BSC014N04LSIATMA1参数
| 封装 | TDSON-8FL |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 批次 | 两年内 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 驱动电压（最大 Rds On， 最小 Rds On） | 4.5V， 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta）， 96W（Tc） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13,247 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 31A（Ta）， 100A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.45 毫欧 @ 50A， 10V |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 55nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4000pF @ 20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
BSC014N04LSIATMA1概述
New 40V and 60V product families, feature not only the industry’s lowest R DS(on) but also a perfect switching behavior for fast switching applications. 15% lower R DS(on) and 31% lower figure of merit (R DS(on) x Q g ) compared to alternative devices has been realized by advanced thin wafer
BSC014N04LSIATMA1特性
暂无产品特性。
BSC014N04LSIATMA1应用领域
暂无应用领域。