BSC011N03LSI-VB
IC
DFN-8
可供量大可议
BSC011N03LSI-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 󗙻 򘞟 򑵼 A, RDS(ON), 󗙻 񄂹 򘞟 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󗙻 񄂹 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )具有超低导通电阻和高连续电流能力, 适用于对功率密度、效率和热性能要求严苛的场景。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8
库存
50
货期
现货
BSC011N03LSI-VB参数
| 封装 | DFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
BSC011N03LSI-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 򬓹 򏟋 V, 󗙻 򘞟 򑵼 A, RDS(ON), 󗙻 񄂹 򘞟 mΩ@󗙻 򏟋 V, 󗙻 񄂹 򑵼 mΩ@󺺆 񄂹 𢺫 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 󗙻 񄂹 𛾾 Vth(V)封装:QFN򑵼 (𢺫 X𮧂 )具有超低导通电阻和高连续电流能力, 适用于对功率密度、效率和热性能要求严苛的场景。
BSC011N03LSI-VB特性
暂无产品特性。
BSC011N03LSI-VB应用领域
暂无应用领域。