BSC010NE2LSI
IC
TDSON-8(5x6)
可供量大可议
BSC010NE2LSI
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
品牌
Infineon
封装
TDSON-8(5x6)
库存
2,483
货期
现货
BSC010NE2LSI参数
| 封装 | TDSON-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2483 |
BSC010NE2LSI概述
特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅； 符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤素
BSC010NE2LSI特性
暂无产品特性。
BSC010NE2LSI应用领域
暂无应用领域。