BSC007N04LS6-VB
IC
DFN-8
可供量大可议
BSC007N04LS6-VB
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󺺆 򏟋 V, 򘞟 𢺫 򏟋 A, RDS(ON), 򏟋 񄂹 򑵼 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򘞟 񄂹 𢺫 Vth(V)封装:DFN𢺫 *𮧂 -򑵼 L具有超低导通电阻和高电流承载能力为核心优势, 适用于对效率、功率密度和可靠性要求极高的场景。
品牌
VBsemi
封装
DFN-8
库存
50
货期
现货
BSC007N04LS6-VB参数
| 封装 | DFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi/微碧半导体 |
| 批次 | 23+ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| MOQ / SPQ | 5 / 1 |
BSC007N04LS6-VB概述
台积电流片, 长电封测。 N沟道, 󺺆 򏟋 V, 򘞟 𢺫 򏟋 A, RDS(ON), 򏟋 񄂹 򑵼 mΩ@󗙻 򏟋 V, 򘞟 򏟋 Vgs(±V); 򘞟 񄂹 𢺫 Vth(V)封装:DFN𢺫 *𮧂 -򑵼 L具有超低导通电阻和高电流承载能力为核心优势, 适用于对效率、功率密度和可靠性要求极高的场景。
BSC007N04LS6-VB特性
暂无产品特性。
BSC007N04LS6-VB应用领域
暂无应用领域。