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BS170
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IC

TO-92

BS170

场效应管(MOSFET) 830mW 60V 500mA 1个N沟道

品牌

ON

封装

TO-92

交期

现货

批次

26+

BS170参数

封装TO-92
品牌ON(安森美)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))1.2Ω@10V
阈值电压(Vgs(th))2.1V
反向传输电容(Crss)7pF
类型N沟道
分类场效应管(MOSFET)
库存4,168
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)830mW
输入电容(Ciss)24pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)17pF

BS170概述

场效应管(MOSFET) 830mW 60V 500mA 1个N沟道

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