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BRCS080N10SDP
IC

TO-252

可供量大可议

BRCS080N10SDP

1个N沟道, 漏源电压(Vdss):100V, 连续漏极电流(ld):68A, 导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V

品牌

BLUE ROCKET

封装

TO-252

库存

200

货期

现货

BRCS080N10SDP参数

封装TO-252
品牌BLUE ROCKET(蓝箭)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存200

BRCS080N10SDP概述

1个N沟道, 漏源电压(Vdss):100V, 连续漏极电流(ld):68A, 导通电阻(RDS(on)):8mΩ@10V

BRCS080N10SDP特性

暂无产品特性。

BRCS080N10SDP应用领域

暂无应用领域。

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