BPW77NB
IC
TO-18
可供量大可议
BPW77NB
850 nm ± 10° Narrow Angle Photo Sensitivity Silicon NPN Phototransistor
品牌
VISHAY
封装
TO-18
库存
1,413
货期
现货
BPW77NB参数
| 封装 | TO-18 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 25+ |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 50mA |
| 暗电流 | 100nA |
| 视角 | 10° |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 0.3V@1mA |
| 分类 | 光电晶体管 |
|---|---|
| 库存 | 1,413 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 70V |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 峰值波长 | 850nm |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
BPW77NB概述
850 nm ± 10° Narrow Angle Photo Sensitivity Silicon NPN Phototransistor
BPW77NB特性
暂无产品特性。
BPW77NB应用领域
暂无应用领域。