BP2G+
IC
SOIC-8
可供量大可议
BP2G+
特性：低插入损耗， 典型值0.4 dB。 高隔离度， 典型值28 dB。 良好的输出电压驻波比， 1.15:1。 良好的输入电压驻波比， 典型值1.2:1。 出色的功率处理能力， 1.5W。 低外形， 0.077。 应用：GPS。 PDC
品牌
Mini-Circuits
封装
SOIC-8
库存
54
货期
现货
BP2G+参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | Mini-Circuits |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | RF功分器/合路器 |
|---|---|
| 库存 | 54 |
BP2G+概述
特性：低插入损耗， 典型值0.4 dB。 高隔离度， 典型值28 dB。 良好的输出电压驻波比， 1.15:1。 良好的输入电压驻波比， 典型值1.2:1。 出色的功率处理能力， 1.5W。 低外形， 0.077。 应用：GPS。 PDC
BP2G+特性
暂无产品特性。
BP2G+应用领域
暂无应用领域。