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BNUP3105LT1G
IC

SOT-23

可供量大可议

BNUP3105LT1G

特性:300瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±15kV接触, ±20kV空气。 应用:数据线。 自动取款机

品牌

BORN

封装

SOT-23

库存

530

货期

现货

BNUP3105LT1G参数

封装SOT-23
品牌BORN(伯恩半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存530

BNUP3105LT1G概述

特性:300瓦峰值脉冲功率(tp = 8/20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±15kV接触, ±20kV空气。 应用:数据线。 自动取款机

BNUP3105LT1G特性

暂无产品特性。

BNUP3105LT1G应用领域

暂无应用领域。

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