BNT15N10
IC
TO-252-2
可供量大可议
BNT15N10
特性：VBR(DSS) = 100V。 ID = 15A。 RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 应用：功率开关应用。 MB/VGA Vcore
品牌
BORN
封装
TO-252-2
库存
2,500
货期
现货
BNT15N10参数
| 封装 | TO-252-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2500 |
BNT15N10概述
特性：VBR(DSS) = 100V。 ID = 15A。 RDS(ON)@10V, TMP = 88mΩ。 沟槽技术功率MOSFET。 低RDS(ON)。 低栅极电荷。 应用：功率开关应用。 MB/VGA Vcore
BNT15N10特性
暂无产品特性。
BNT15N10应用领域
暂无应用领域。