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BNRCLAMP1521P
IC

DFN1006-2L

可供量大可议

BNRCLAMP1521P

ESD保护二极管, 采用固态硅雪崩技术, 双向配置, 低钳位电压、低泄漏电流和低电容, 可保护单条数据/电源线

品牌

BORN

封装

DFN1006-2L

库存

2,810

货期

现货

BNRCLAMP1521P参数

封装DFN1006-2L
品牌BORN(伯恩半导体)
MOQ / SPQ1 / 10
分类静电和浪涌保护(TVS/ESD)
库存2810

BNRCLAMP1521P概述

ESD保护二极管, 采用固态硅雪崩技术, 双向配置, 低钳位电压、低泄漏电流和低电容, 可保护单条数据/电源线

BNRCLAMP1521P特性

暂无产品特性。

BNRCLAMP1521P应用领域

暂无应用领域。

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