BNPRSB6.8C
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BNPRSB6.8C
特性：600瓦峰值脉冲功率（脉冲时间为8/20微秒）。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
4,620
货期
现货
BNPRSB6.8C参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 4620 |
BNPRSB6.8C概述
特性：600瓦峰值脉冲功率（脉冲时间为8/20微秒）。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BNPRSB6.8C特性
暂无产品特性。
BNPRSB6.8C应用领域
暂无应用领域。