BNPESD3V3X1BL
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BNPESD3V3X1BL
ESD保护二极管， 采用固态硅雪崩技术， 双向配置， 低钳位电压、低漏电流、低电容
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
7,840
货期
现货
BNPESD3V3X1BL参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 7840 |
BNPESD3V3X1BL概述
ESD保护二极管， 采用固态硅雪崩技术， 双向配置， 低钳位电压、低漏电流、低电容
BNPESD3V3X1BL特性
暂无产品特性。
BNPESD3V3X1BL应用领域
暂无应用领域。