BNLESD9D5.0CT5G
IC
SOD-923
可供量大可议
BNLESD9D5.0CT5G
特性：65 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触； ±30kV 空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDAs)
品牌
BORN
封装
SOD-923
库存
6,620
货期
现货
BNLESD9D5.0CT5G参数
| 封装 | SOD-923 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6620 |
BNLESD9D5.0CT5G概述
特性：65 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触； ±30kV 空气。 应用：基于微处理器的设备。 个人数字助理 (PDAs)
BNLESD9D5.0CT5G特性
暂无产品特性。
BNLESD9D5.0CT5G应用领域
暂无应用领域。