BNESDA6V1W5
IC
SOT-353
可供量大可议
BNESDA6V1W5
特性：100 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触； ±30kV 空气。 应用：手机及配件。 个人数字助理 (PDA)
品牌
BORN
封装
SOT-353
库存
5,880
货期
现货
BNESDA6V1W5参数
| 封装 | SOT-353 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5880 |
BNESDA6V1W5概述
特性：100 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8 / 20μs)。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 IEC 61000-4-2 ±30kV 接触； ±30kV 空气。 应用：手机及配件。 个人数字助理 (PDA)
BNESDA6V1W5特性
暂无产品特性。
BNESDA6V1W5应用领域
暂无应用领域。