BNESD9X3.3ST5G
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BNESD9X3.3ST5G
特性：80 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
50
货期
现货
BNESD9X3.3ST5G参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
BNESD9X3.3ST5G概述
特性：80 瓦峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs)。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 保护一条数据/电源线。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BNESD9X3.3ST5G特性
暂无产品特性。
BNESD9X3.3ST5G应用领域
暂无应用领域。