BNESD8004MUTAG
IC
DFN-10(2.5x1.0)
可供量大可议
BNESD8004MUTAG
特性：25瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.5pF 典型值， I/O到I/O）。 应用：USB 3.0、USB3.1。 HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
品牌
BORN
封装
DFN-10(2.5x1.0)
库存
5,925
货期
现货
BNESD8004MUTAG参数
| 封装 | DFN-10(2.5x1.0) |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 5925 |
BNESD8004MUTAG概述
特性：25瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。 单向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.5pF 典型值， I/O到I/O）。 应用：USB 3.0、USB3.1。 HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
BNESD8004MUTAG特性
暂无产品特性。
BNESD8004MUTAG应用领域
暂无应用领域。