BNESD7551N2T5G
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BNESD7551N2T5G
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
9,700
货期
现货
BNESD7551N2T5G参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9700 |
BNESD7551N2T5G概述
特性：60瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型DFN1006封装。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BNESD7551N2T5G特性
暂无产品特性。
BNESD7551N2T5G应用领域
暂无应用领域。