BNESD7016MUTAG
IC
DFN-10(1x3.3)
可供量大可议
BNESD7016MUTAG
特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN3310（1*3.3）封装。 最多保护 6 条线路。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB 3.0/3.1， Type C。 HDMI 1.4/2.0， Display Port 1.3
品牌
BORN
封装
DFN-10(1x3.3)
库存
1,270
货期
现货
BNESD7016MUTAG参数
| 封装 | DFN-10(1x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 1270 |
BNESD7016MUTAG概述
特性：60 瓦峰值脉冲功率（tp = 8/20μs）。 微型 DFN3310（1*3.3）封装。 最多保护 6 条线路。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 应用：USB 3.0/3.1， Type C。 HDMI 1.4/2.0， Display Port 1.3
BNESD7016MUTAG特性
暂无产品特性。
BNESD7016MUTAG应用领域
暂无应用领域。