BNESD5451N
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BNESD5451N
BNESD5451N 是一款双向配置的固态硅雪崩技术器件， 具有72瓦峰值脉冲功率（tp=8/20μs）。 该器件具有低箝位电压和低漏电流， 适用于数据/电源线的保护。 它符合IEC 61000-4-2 ±25kV接触和±25kV空气放电标准， 以及IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) 和 IEC 61000-4-5 (雷击) 6.0A (8/20μs) 标准。 该产品采用DFN1006封装， 具有UL 94V-0阻燃等级， 包装方式为卷带和卷盘， 符合RoHS/WEEE标准。 其应用范围包括手机及其配件、基于微处理器的设备、个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、台式机和服务器、便携式仪器等。
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
9,950
货期
现货
BNESD5451N参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 9950 |
BNESD5451N概述
BNESD5451N 是一款双向配置的固态硅雪崩技术器件， 具有72瓦峰值脉冲功率（tp=8/20μs）。 该器件具有低箝位电压和低漏电流， 适用于数据/电源线的保护。 它符合IEC 61000-4-2 ±25kV接触和±25kV空气放电标准， 以及IEC 61000-4-4 (EFT) 40A (5/50ns) 和 IEC 61000-4-5 (雷击) 6.0A (8/20μs) 标准。 该产品采用DFN1006封装， 具有UL 94V-0阻燃等级， 包装方式为卷带和卷盘， 符合RoHS/WEEE标准。 其应用范围包括手机及其配件、基于微处理器的设备、个人数字助理（PDA）、笔记本电脑、台式机和服务器、便携式仪器等。
BNESD5451N特性
暂无产品特性。
BNESD5451N应用领域
暂无应用领域。