BNCS0801S
IC
DFN1006-2
可供量大可议
BNCS0801S
特性：80 瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.2pF 典型值， IO 到 IO）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
品牌
BORN
封装
DFN1006-2
库存
2,280
货期
现货
BNCS0801S参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | BORN(伯恩半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 2280 |
BNCS0801S概述
特性：80 瓦峰值脉冲功率（tp = 8 / 20μs）。 双向配置。 固态硅雪崩技术。 低钳位电压。 低泄漏电流。 低电容（Cj = 0.2pF 典型值， IO 到 IO）。 应用：手机及配件。 基于微处理器的设备
BNCS0801S特性
暂无产品特性。
BNCS0801S应用领域
暂无应用领域。